Vishay Siliconix - SI2333CDS-T1-E3

KEY Part #: K6419140

SI2333CDS-T1-E3 Цены (доллары США) [485597шт сток]

  • 1 pcs$0.07617
  • 3,000 pcs$0.06474

номер части:
SI2333CDS-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-E3 electronic components. SI2333CDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2333CDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2333CDS-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI2333CDS-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1225pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в