1N6482-E3/96 Цены (доллары США) [826014шт сток]
- 1 pcs$0.04478
- 6,000 pcs$0.04049
- номер части:
- 1N6482-E3/96
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6482-E3/96 electronic components. 1N6482-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6482-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6482-E3/96 Атрибуты продукта
номер части :
1N6482-E3/96
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Серии :
SUPERECTIFIER®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства :
DO-213AB
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-HFA08SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
-
VS-50WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
-
GSD2004W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns
-
V20DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 45V,TRENCH SKY RECT.
Горячие части
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A