Infineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1

KEY Part #: K6525310

IPG20N06S2L50ATMA1 Цены (доллары США) [185072шт сток]

  • 1 pcs$0.19985
  • 5,000 pcs$0.19037

номер части:
IPG20N06S2L50ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1 electronic components. IPG20N06S2L50ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S2L50ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S2L50ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPG20N06S2L50ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 19µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 560pF @ 25V
Мощность - Макс : 51W
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8-4

Вы также можете быть заинтересованы в