Nexperia USA Inc. - BAS16J,115

KEY Part #: K6458022

BAS16J,115 Цены (доллары США) [2715488шт сток]

  • 1 pcs$0.01371
  • 3,000 pcs$0.01364
  • 6,000 pcs$0.01231
  • 15,000 pcs$0.01070
  • 30,000 pcs$0.00963
  • 75,000 pcs$0.00856
  • 150,000 pcs$0.00712

номер части:
BAS16J,115
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-7
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16J,115 electronic components. BAS16J,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16J,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16J,115 Атрибуты продукта

номер части : BAS16J,115
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Серии : Automotive, AEC-Q101, BAS16
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 150mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 80V
Емкость @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SC-90, SOD-323F
Комплект поставки устройства : SOD-323F
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM