EGF1T-E3/5CA Цены (доллары США) [542466шт сток]
- 1 pcs$0.07195
- 6,500 pcs$0.07159
- номер части:
- EGF1T-E3/5CA
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA. Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - IGBT - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1T-E3/5CA electronic components. EGF1T-E3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1T-E3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGF1T-E3/5CA Атрибуты продукта
номер части :
EGF1T-E3/5CA
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Серии :
SUPERECTIFIER®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1300V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
75ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 1300V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214BA
Комплект поставки устройства :
DO-214BA (GF1)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
CMDSH05-4 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW
-
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
-
MURS160HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,600V,50ns SMB, UF Rect, SMD
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18