Vishay Semiconductor Diodes Division - RMPG06GHE3_A/73

KEY Part #: K6438575

RMPG06GHE3_A/73 Цены (доллары США) [962649шт сток]

  • 1 pcs$0.04055
  • 12,000 pcs$0.04034

номер части:
RMPG06GHE3_A/73
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 400V, 150NS, FS, MINIGPPRECT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06GHE3_A/73 electronic components. RMPG06GHE3_A/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06GHE3_A/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RMPG06GHE3_A/73 Атрибуты продукта

номер части : RMPG06GHE3_A/73
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : 6.6pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : MPG06, Axial
Комплект поставки устройства : MPG06
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1N914B A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array

  • BAV21 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • BAV20 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • BAV19 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • DST5100S

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V TO-277B

  • DST560S

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 60V TO-277B