номер части :
TPH4R10ANL,L1Q
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Состояние детали :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
92A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
75nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
6.3nF @ 50V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
2.5W (Ta), 67W (Tc)
Рабочая Температура :
150°C
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
8-SOP Advance (5x5)
Пакет / Дело :
8-PowerVDFN