Diodes Incorporated - DMN10H170SFG-7

KEY Part #: K6401839

[2912шт сток]


    номер части:
    DMN10H170SFG-7
    производитель:
    Diodes Incorporated
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - мостовые выпрямители ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Diodes Incorporated DMN10H170SFG-7 electronic components. DMN10H170SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H170SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMN10H170SFG-7 Атрибуты продукта

    номер части : DMN10H170SFG-7
    производитель : Diodes Incorporated
    Описание : MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
    Серии : -
    Состояние детали : Active
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 122 mOhm @ 3.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14.9nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 870.7pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 940mW (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
    Пакет / Дело : 8-PowerWDFN

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • IRFI1010NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

    • SSM3J304T(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

    • SSM3J306T(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.