ON Semiconductor - ES2D

KEY Part #: K6455798

ES2D Цены (доллары США) [798508шт сток]

  • 1 pcs$0.04632
  • 3,000 pcs$0.04180
  • 6,000 pcs$0.03927
  • 15,000 pcs$0.03673
  • 30,000 pcs$0.03378

номер части:
ES2D
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0a Rectifier UF Recovery
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor ES2D electronic components. ES2D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2D Атрибуты продукта

номер части : ES2D
производитель : ON Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 900mV @ 2A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 20ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -50°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns