Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-5EWH06FNTR-M3

KEY Part #: K6455804

VS-5EWH06FNTR-M3 Цены (доллары США) [251543шт сток]

  • 1 pcs$0.14704
  • 2,000 pcs$0.13326
  • 6,000 pcs$0.12406
  • 10,000 pcs$0.12253

номер части:
VS-5EWH06FNTR-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-5EWH06FNTR-M3 electronic components. VS-5EWH06FNTR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-5EWH06FNTR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-5EWH06FNTR-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-5EWH06FNTR-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Серии : FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.85V @ 5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252AA)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4448W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns