Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Диоды - Выпрямители - Одиночные
  5. 1N8026-GA

GeneSiC Semiconductor - 1N8026-GA

KEY Part #: K6424976

1N8026-GA Цены (доллары США) [448шт сток]

  • 1 pcs$97.57053
  • 10 pcs$92.86155
  • 25 pcs$89.49719
номер части:
1N8026-GA
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - JFETs and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA electronic components. 1N8026-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8026-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8026-GA Атрибуты продукта

номер части : 1N8026-GA
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.6V @ 2.5A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-257-3
Комплект поставки устройства : TO-257
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 250°C
Вы также можете быть заинтересованы в
Горячие части