производитель :
GeneSiC Semiconductor
Описание :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Состояние детали :
Obsolete
Диодный Тип :
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.6V @ 2.5A
скорость :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
0ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F :
237pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Комплект поставки устройства :
TO-257
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 250°C