IXYS - IXFX220N17T2

KEY Part #: K6394947

IXFX220N17T2 Цены (доллары США) [10414шт сток]

  • 1 pcs$4.37448
  • 60 pcs$4.35272

номер части:
IXFX220N17T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX220N17T2 electronic components. IXFX220N17T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX220N17T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX220N17T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFX220N17T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
Серии : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 170V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 220A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 500nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 31000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3