Vishay Siliconix - SIHH21N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6417767

SIHH21N60E-T1-GE3 Цены (доллары США) [40976шт сток]

  • 1 pcs$0.95899
  • 3,000 pcs$0.95422

номер части:
SIHH21N60E-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH21N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH21N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH21N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH21N60E-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHH21N60E-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 176 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2015pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 104W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 8 x 8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD13AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • SPA11N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • IRLMS2002TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP.

  • IRLMS1902TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP.