Infineon Technologies - IPP034N08N5AKSA1

KEY Part #: K6417995

IPP034N08N5AKSA1 Цены (доллары США) [48207шт сток]

  • 1 pcs$0.81109
  • 500 pcs$0.76727

номер части:
IPP034N08N5AKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP034N08N5AKSA1 electronic components. IPP034N08N5AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP034N08N5AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP034N08N5AKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP034N08N5AKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO220-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6240pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 167W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA50R199CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3.