Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10D-E3/54

KEY Part #: K6458116

EGP10D-E3/54 Цены (доллары США) [881030шт сток]

  • 1 pcs$0.04198
  • 5,500 pcs$0.03883
  • 11,000 pcs$0.03540
  • 27,500 pcs$0.03312
  • 55,000 pcs$0.03045

номер части:
EGP10D-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10D-E3/54 electronic components. EGP10D-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10D-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10D-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : EGP10D-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 950mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in