STMicroelectronics - STI24NM60N

KEY Part #: K6392854

STI24NM60N Цены (доллары США) [19605шт сток]

  • 1 pcs$2.10214
  • 10 pcs$1.87870
  • 100 pcs$1.54038
  • 500 pcs$1.24731
  • 1,000 pcs$0.99800

номер части:
STI24NM60N
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STI24NM60N electronic components. STI24NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI24NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI24NM60N Атрибуты продукта

номер части : STI24NM60N
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
Серии : MDmesh™ II
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 17A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1400pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в