Nexperia USA Inc. - BAV23QAZ

KEY Part #: K6452395

BAV23QAZ Цены (доллары США) [1303433шт сток]

  • 1 pcs$0.02838

номер части:
BAV23QAZ
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
BAV23QA/SOT1215/DFN1010D-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching BAV23QA DFN1010D-3
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. BAV23QAZ electronic components. BAV23QAZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV23QAZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV23QAZ Атрибуты продукта

номер части : BAV23QAZ
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : BAV23QA/SOT1215/DFN1010D-3
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 250V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 330mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 200mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100nA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 3-XDFN Exposed Pad
Комплект поставки устройства : DFN1010D-3
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM