Microsemi Corporation - APT200GN60JDQ4

KEY Part #: K6533467

APT200GN60JDQ4 Цены (доллары США) [2475шт сток]

  • 1 pcs$17.50347
  • 10 pcs$16.19095
  • 25 pcs$14.87823
  • 100 pcs$13.82802
  • 250 pcs$12.69029

номер части:
APT200GN60JDQ4
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 283A 682W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60JDQ4 electronic components. APT200GN60JDQ4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60JDQ4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GN60JDQ4 Атрибуты продукта

номер части : APT200GN60JDQ4
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 283A 682W SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 283A
Мощность - Макс : 682W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 14.1nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • CM600HA-24A

    Powerex Inc.

    IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES.

  • APTGFQ25H120T2G

    Microsemi Corporation

    IGBT 1200V 40A 227W MODULE.