IXYS - IXFZ520N075T2

KEY Part #: K6395664

IXFZ520N075T2 Цены (доллары США) [3354шт сток]

  • 1 pcs$14.27953
  • 40 pcs$14.20848

номер части:
IXFZ520N075T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 75V 465A DE-475.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFZ520N075T2 electronic components. IXFZ520N075T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFZ520N075T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFZ520N075T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFZ520N075T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
Серии : GigaMOS™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 465A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 545nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 41000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 600W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DE475
Пакет / Дело : DE475