IXYS - IXFY8N65X2

KEY Part #: K6395651

IXFY8N65X2 Цены (доллары США) [46760шт сток]

  • 1 pcs$0.83620

номер части:
IXFY8N65X2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFY8N65X2 electronic components. IXFY8N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFY8N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFY8N65X2 Атрибуты продукта

номер части : IXFY8N65X2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 790pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252AA
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63