Renesas Electronics America - RJK0856DPB-00#J5

KEY Part #: K6405574

RJK0856DPB-00#J5 Цены (доллары США) [1618шт сток]

  • 2,500 pcs$0.49670

номер части:
RJK0856DPB-00#J5
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJK0856DPB-00#J5 electronic components. RJK0856DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0856DPB-00#J5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0856DPB-00#J5 Атрибуты продукта

номер части : RJK0856DPB-00#J5
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3000pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 65W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LFPAK
Пакет / Дело : SC-100, SOT-669

Вы также можете быть заинтересованы в