Vishay Siliconix - SQJ412EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418722

SQJ412EP-T1_GE3 Цены (доллары США) [74217шт сток]

  • 1 pcs$0.52684
  • 3,000 pcs$0.44424

номер части:
SQJ412EP-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 electronic components. SQJ412EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ412EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ412EP-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQJ412EP-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5950pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.

  • SPA06N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220.