Comchip Technology - CDBJSC3650-G

KEY Part #: K6441750

CDBJSC3650-G Цены (доллары США) [57375шт сток]

  • 1 pcs$0.68150

номер части:
CDBJSC3650-G
производитель:
Comchip Technology
Подробное описание:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Comchip Technology CDBJSC3650-G electronic components. CDBJSC3650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC3650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC3650-G Атрибуты продукта

номер части : CDBJSC3650-G
производитель : Comchip Technology
Описание : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 3A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 650V
Емкость @ Vr, F : 190pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack
Комплект поставки устройства : TO-220F
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt