ON Semiconductor - FQU8P10TU

KEY Part #: K6419478

FQU8P10TU Цены (доллары США) [114050шт сток]

  • 1 pcs$0.32431
  • 5,040 pcs$0.10401

номер части:
FQU8P10TU
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQU8P10TU electronic components. FQU8P10TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU8P10TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU8P10TU Атрибуты продукта

номер части : FQU8P10TU
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 470pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I-PAK
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в