Infineon Technologies - IRLML2803TRPBF

KEY Part #: K6419286

IRLML2803TRPBF Цены (доллары США) [731092шт сток]

  • 1 pcs$0.05059
  • 3,000 pcs$0.03837

номер части:
IRLML2803TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLML2803TRPBF electronic components. IRLML2803TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML2803TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML2803TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLML2803TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 85pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 540mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Micro3™/SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в