Infineon Technologies - SPD15P10PLGBTMA1

KEY Part #: K6419417

SPD15P10PLGBTMA1 Цены (доллары США) [110816шт сток]

  • 1 pcs$0.33377
  • 2,500 pcs$0.32044

номер части:
SPD15P10PLGBTMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies SPD15P10PLGBTMA1 electronic components. SPD15P10PLGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD15P10PLGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPD15P10PLGBTMA1 Атрибуты продукта

номер части : SPD15P10PLGBTMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Серии : SIPMOS®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1.54mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1490pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 128W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в