Infineon Technologies - IRFH5301TRPBF

KEY Part #: K6420345

IRFH5301TRPBF Цены (доллары США) [184696шт сток]

  • 1 pcs$0.20026
  • 4,000 pcs$0.19222

номер части:
IRFH5301TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFH5301TRPBF electronic components. IRFH5301TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5301TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH5301TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFH5301TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5114pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PQFN (5x6) Single Die
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в