Infineon Technologies - IPN70R2K1CEATMA1

KEY Part #: K6421207

IPN70R2K1CEATMA1 Цены (доллары США) [393193шт сток]

  • 1 pcs$0.09407
  • 3,000 pcs$0.08631

номер части:
IPN70R2K1CEATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPN70R2K1CEATMA1 electronic components. IPN70R2K1CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN70R2K1CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN70R2K1CEATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPN70R2K1CEATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 750V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 163pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SOT223
Пакет / Дело : SOT-223-3

Вы также можете быть заинтересованы в