Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34J-E3/98

KEY Part #: K6453140

RGL34J-E3/98 Цены (доллары США) [686193шт сток]

  • 1 pcs$0.05688
  • 2,500 pcs$0.05660
  • 5,000 pcs$0.05317
  • 12,500 pcs$0.04974
  • 25,000 pcs$0.04574

номер части:
RGL34J-E3/98
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34J-E3/98 electronic components. RGL34J-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL34J-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34J-E3/98 Атрибуты продукта

номер части : RGL34J-E3/98
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 500mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 250ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AA (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AA (GL34)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die

  • VS-50WQ06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • RGL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA.