Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB50YF120N

KEY Part #: K6534308

VS-GB50YF120N Цены (доллары США) [587шт сток]

  • 1 pcs$78.96530
  • 12 pcs$65.09259

номер части:
VS-GB50YF120N
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT 1200V 66A 330W ECONO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50YF120N electronic components. VS-GB50YF120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB50YF120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB50YF120N Атрибуты продукта

номер части : VS-GB50YF120N
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT 1200V 66A 330W ECONO
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 66A
Мощность - Макс : 330W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 4.5V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : ECONO2 4PACK

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.