Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB12JTHE3/45

KEY Part #: K6445591

UGB12JTHE3/45 Цены (доллары США) [2056шт сток]

  • 1,000 pcs$0.34895

номер части:
UGB12JTHE3/45
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB12JTHE3/45 electronic components. UGB12JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB12JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB12JTHE3/45 Атрибуты продукта

номер части : UGB12JTHE3/45
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 12A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.75V @ 12A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 30µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode