Infineon Technologies - DF200R12W1H3FB11BOMA1

KEY Part #: K6534532

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Цены (доллары США) [1128шт сток]

  • 1 pcs$38.34155

номер части:
DF200R12W1H3FB11BOMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies DF200R12W1H3FB11BOMA1 electronic components. DF200R12W1H3FB11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12W1H3FB11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Атрибуты продукта

номер части : DF200R12W1H3FB11BOMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Серии : EasyPACK™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 30A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.45V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.15nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module