GeneSiC Semiconductor - GA50JT12-247

KEY Part #: K6395707

GA50JT12-247 Цены (доллары США) [896шт сток]

  • 1 pcs$56.45706
  • 10 pcs$52.92992
  • 25 pcs$50.45983

номер части:
GA50JT12-247
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
TRANS SJT 1.2KV 50A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 electronic components. GA50JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT12-247 Атрибуты продукта

номер части : GA50JT12-247
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : TRANS SJT 1.2KV 50A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : -
Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7209pF @ 800V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 583W (Tc)
Рабочая Температура : 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AB
Пакет / Дело : TO-247-3