Diodes Incorporated - DMN3010LFG-13

KEY Part #: K6394902

DMN3010LFG-13 Цены (доллары США) [383534шт сток]

  • 1 pcs$0.09644
  • 3,000 pcs$0.08631

номер части:
DMN3010LFG-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3010LFG-13 electronic components. DMN3010LFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3010LFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3010LFG-13 Атрибуты продукта

номер части : DMN3010LFG-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2075pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 900mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN