IXYS - MIO1200-33E10

KEY Part #: K6533259

[56шт сток]


    номер части:
    MIO1200-33E10
    производитель:
    IXYS
    Подробное описание:
    MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in IXYS MIO1200-33E10 electronic components. MIO1200-33E10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MIO1200-33E10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MIO1200-33E10 Атрибуты продукта

    номер части : MIO1200-33E10
    производитель : IXYS
    Описание : MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10
    Серии : -
    Состояние детали : Active
    Тип IGBT : NPT
    конфигурация : Single Switch
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 3300V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 1200A
    Мощность - Макс : -
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 1200A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 120mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 187nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : No
    Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : E10
    Комплект поставки устройства : E10

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-ETL015Y120H

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

    • VS-ETF150Y65U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • VS-ETF075Y60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

    • APT40GL120JU2

      Microsemi Corporation

      MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

    • APT85GR120JD60

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

    • APTGT600A60G

      Microsemi Corporation

      POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6.