Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4150TAP

KEY Part #: K6455688

1N4150TAP Цены (доллары США) [3896725шт сток]

  • 1 pcs$0.00949
  • 50,000 pcs$0.00797

номер части:
1N4150TAP
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150TAP electronic components. 1N4150TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4150TAP Атрибуты продукта

номер части : 1N4150TAP
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 200mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100nA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AH, DO-35, Axial
Комплект поставки устройства : DO-35
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • MMBD914LT1HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A

  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.