Vishay Siliconix - SI4425BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6403525

SI4425BDY-T1-GE3 Цены (доллары США) [99963шт сток]

  • 1 pcs$0.39311
  • 2,500 pcs$0.39115

номер части:
SI4425BDY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4425BDY-T1-GE3 electronic components. SI4425BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4425BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4425BDY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4425BDY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MCU04N60-TP

    Micro Commercial Co

    N-CHANNELMOSFETSDPAK PACKAGE.

  • FQD18N20V2TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 15A DPAK.

  • FDD86567-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK.

  • MTD3055VL

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.

  • FDD8896-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • FQD4N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK.