Vishay Siliconix - SUM52N20-39P-E3

KEY Part #: K6392843

SUM52N20-39P-E3 Цены (доллары США) [39088шт сток]

  • 1 pcs$1.00531
  • 800 pcs$1.00030

номер части:
SUM52N20-39P-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SUM52N20-39P-E3 electronic components. SUM52N20-39P-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUM52N20-39P-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM52N20-39P-E3 Атрибуты продукта

номер части : SUM52N20-39P-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 52A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 185nC @ 15V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4220pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D2Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в