Microsemi Corporation - APTGT100A170D1G

KEY Part #: K6534092

[616шт сток]


    номер части:
    APTGT100A170D1G
    производитель:
    Microsemi Corporation
    Подробное описание:
    IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGT100A170D1G electronic components. APTGT100A170D1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100A170D1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT100A170D1G Атрибуты продукта

    номер части : APTGT100A170D1G
    производитель : Microsemi Corporation
    Описание : IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
    Серии : -
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Half Bridge
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 200A
    Мощность - Макс : 695W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 100A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 3mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 8.5nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : No
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : D1
    Комплект поставки устройства : D1

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-GB90DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 149A 862W SOT-227.

    • APTGF350DA60G

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 430A 1562W SP6.

    • APTGT100A120D1G

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1.

    • APTGF90DU60TG

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4.

    • APTGF90A60T1G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1.

    • APTGF75H120TG

      Microsemi Corporation

      POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4.