ITT Cannon, LLC - 120220-0202

KEY Part #: K7359492

120220-0202 Цены (доллары США) [779344шт сток]

  • 1 pcs$0.04770
  • 6,800 pcs$0.04746
  • 13,600 pcs$0.04271
  • 34,000 pcs$0.04208
  • 68,000 pcs$0.04113

номер части:
120220-0202
производитель:
ITT Cannon, LLC
Подробное описание:
UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD. Battery Contacts
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: RFID аксессуары, RF Front End (LNA + PA), Комплекты для оценки и развития РФ, платы, RFID транспондеры, метки, RFID-считыватели, РЧ приемопередающие модули, ИС приемопередатчика RF and Готовые блоки приемника, передатчика и приемоперед ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0202 electronic components. 120220-0202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0202 Атрибуты продукта

номер части : 120220-0202
производитель : ITT Cannon, LLC
Описание : UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : Shield Finger, Pre-Loaded
форма : -
ширина : 0.035" (0.90mm)
длина : 0.132" (3.35mm)
Рост : 0.071" (1.80mm)
материал : Beryllium Copper
золочение : Nickel
Покрытие - толщина : 118.11µin (3.00µm)
Метод крепления : Solder
Рабочая Температура : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.