Rohm Semiconductor - RBR3LAM60BTFTR

KEY Part #: K6457722

RBR3LAM60BTFTR Цены (доллары США) [651490шт сток]

  • 1 pcs$0.05677

номер части:
RBR3LAM60BTFTR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD. Schottky Diodes & Rectifiers 60V VR 3A 0.56V VF PMDTM; SOD-128
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RBR3LAM60BTFTR electronic components. RBR3LAM60BTFTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR3LAM60BTFTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RBR3LAM60BTFTR Атрибуты продукта

номер части : RBR3LAM60BTFTR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 60V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : -
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 150µA @ 60V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-128
Комплект поставки устройства : PMDTM
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM