производитель :
Microsemi Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.5V @ 37.7A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
30ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 50V
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SQ-MELF, G
Комплект поставки устройства :
G-MELF (D-5C)
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 155°C