Infineon Technologies - IPP052N08N5AKSA1

KEY Part #: K6398372

IPP052N08N5AKSA1 Цены (доллары США) [36530шт сток]

  • 1 pcs$1.03271
  • 10 pcs$0.93404
  • 100 pcs$0.75066
  • 500 pcs$0.58383
  • 1,000 pcs$0.48375

номер части:
IPP052N08N5AKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP052N08N5AKSA1 electronic components. IPP052N08N5AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP052N08N5AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP052N08N5AKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP052N08N5AKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO220-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 66µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3770pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFIB5N65APBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.

  • TK290A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.