Microsemi Corporation - JAN1N647-1

KEY Part #: K6444050

[2582шт сток]


    номер части:
    JAN1N647-1
    производитель:
    Microsemi Corporation
    Подробное описание:
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N647-1 electronic components. JAN1N647-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N647-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N647-1 Атрибуты продукта

    номер части : JAN1N647-1
    производитель : Microsemi Corporation
    Описание : DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
    Серии : -
    Состояние детали : Active
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 400mA
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 400mA
    скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : -
    Ток - обратная утечка @ Vr : 50nA @ 400V
    Емкость @ Vr, F : -
    Тип монтажа : Through Hole
    Пакет / Дело : DO-204AH, DO-35, Axial
    Комплект поставки устройства : DO-35
    Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.