RGF1BHE3/67A Цены (доллары США) [506068шт сток]
- 1 pcs$0.07309
- 6,000 pcs$0.06624
- номер части:
- RGF1BHE3/67A
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - СКВ - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1BHE3/67A electronic components. RGF1BHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1BHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1BHE3/67A Атрибуты продукта
номер части :
RGF1BHE3/67A
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Серии :
SUPERECTIFIER®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
150ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214BA
Комплект поставки устройства :
DO-214BA (GF1)
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
-
ES2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
MURS120HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18