Infineon Technologies - BSC010NE2LSATMA1

KEY Part #: K6416904

BSC010NE2LSATMA1 Цены (доллары США) [124569шт сток]

  • 1 pcs$0.29692

номер части:
BSC010NE2LSATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC010NE2LSATMA1 electronic components. BSC010NE2LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC010NE2LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC010NE2LSATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC010NE2LSATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 39A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4700pF @ 12V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.