Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K56ACT,L3F

KEY Part #: K6421663

SSM3K56ACT,L3F Цены (доллары США) [1391688шт сток]

  • 1 pcs$0.02728
  • 10,000 pcs$0.02715

номер части:
SSM3K56ACT,L3F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT,L3F electronic components. SSM3K56ACT,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K56ACT,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K56ACT,L3F Атрибуты продукта

номер части : SSM3K56ACT,L3F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Серии : U-MOSVII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 55pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : CST3
Пакет / Дело : SC-101, SOT-883

Вы также можете быть заинтересованы в