Nexperia USA Inc. - BSS84,215

KEY Part #: K6421635

BSS84,215 Цены (доллары США) [1174449шт сток]

  • 1 pcs$0.03149
  • 3,000 pcs$0.02828

номер части:
BSS84,215
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSS84,215 electronic components. BSS84,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS84,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS84,215 Атрибуты продукта

номер части : BSS84,215
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 50V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 130mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 130mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 45pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250mW (Tc)
Рабочая Температура : -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-236AB
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в