Diodes Incorporated - DMN10H700S-7

KEY Part #: K6394661

DMN10H700S-7 Цены (доллары США) [1041905шт сток]

  • 1 pcs$0.03550
  • 3,000 pcs$0.03254

номер части:
DMN10H700S-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H700S-7 electronic components. DMN10H700S-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H700S-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H700S-7 Атрибуты продукта

номер части : DMN10H700S-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 700mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 235pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 400mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3