Toshiba Semiconductor and Storage - JDP2S12CR(TE85L,Q

KEY Part #: K6464642

[9763шт сток]


    номер части:
    JDP2S12CR(TE85L,Q
    производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Подробное описание:
    RF DIODE PIN 180V S-FLAT. PIN Diodes Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S12CR(TE85L,Q electronic components. JDP2S12CR(TE85L,Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JDP2S12CR(TE85L,Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JDP2S12CR(TE85L,Q Атрибуты продукта

    номер части : JDP2S12CR(TE85L,Q
    производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
    Описание : RF DIODE PIN 180V S-FLAT
    Серии : -
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Диодный Тип : PIN - Single
    Напряжение - Пик Обратный (Макс) : 180V
    Ток - Макс : 1A
    Емкость @ Vr, F : 1.3pF @ 40V, 1MHz
    Сопротивление @ If, F : 700 mOhm @ 10mA, 100MHz
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
    Рабочая Температура : 175°C (TJ)
    Пакет / Дело : SOD-123F
    Комплект поставки устройства : S-FLAT (1.6x3.5)

    Вы также можете быть заинтересованы в